| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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HUF75321P3 |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 3494 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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HUF75321P3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB 包装数量：400 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：55V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：35A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：34 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：44nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：680pF @ 25V 功率 - 最大值：93W 安装类型：通孔 |
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